Американская компания по производству цифровой памяти Micron Technology заявила о прорыве в области создания флэш-памяти типа 3D NAND. Новинка позволит оборудовать ноутбуки накопителями с емкостью более 10 ТБ, пишет CNews. Технология, созданная при участии специалистов Intel, основана на использовании большого числа слоев ячеек, которые наложены друг на друга. Инженерам удалось расположить таким образом 32 слоя. С помощью технологии хранения двух битов данных в одной ячейке они получили чип емкостью 32 ГБ, а для трех битов данных в одной ячейке - чип емкостью ...
Читать далее